स्विचिंग पावर सप्लाई डिज़ाइन में ईएमआई को रोकने के उपाय क्या हैं?

स्विचिंग पावर सप्लाई डिज़ाइन में ईएमआई को रोकने के उपाय क्या हैं?

1MHZ----के भीतर मुख्य रूप से विभेदक मोड हस्तक्षेप, जिसे एक्स कैपेसिटेंस बढ़ाकर हल किया जा सकता है
1MHZ---5MHZ---अंतर मोड और सामान्य मोड मिश्रित, इनपुट टर्मिनल और एक्स कैपेसिटर की एक श्रृंखला का उपयोग करके अंतर मोड हस्तक्षेप को फ़िल्टर किया जाता है और विश्लेषण किया जाता है कि कौन सा हस्तक्षेप मानक से अधिक है और इसे हल करता है; 5M--- और ऊपर मुख्य रूप से सामान्य मोड हस्तक्षेप हैं, सह-स्पर्श को दबाने की विधि को अपनाएं। ग्राउंडेड शेल के लिए, 2 मोड़ों के लिए ग्राउंड वायर को घेरने के लिए एक चुंबक का उपयोग करने से 10MHZ (diudiu2006) से ऊपर के हस्तक्षेप को बहुत कम कर दिया जाएगा; 25--30MHZ के लिए, आप जमीन पर वाई कैपेसिटेंस बढ़ा सकते हैं और ट्रांसफार्मर के चारों ओर तांबा लपेट सकते हैं। , PCBLAYOUT बदलें, आउटपुट लाइन के सामने डबल तारों के साथ एक छोटी चुंबकीय अंगूठी कनेक्ट करें, इसे कम से कम 10 मोड़ों के लिए घुमाएं, और आउटपुट रेक्टिफायर ट्यूब के दोनों सिरों पर RC फ़िल्टर कनेक्ट करें।

30---50MHZ आम तौर पर MOS ट्यूब के हाई-स्पीड खुलने और बंद होने के कारण होता है। इसे MOS ड्राइविंग प्रतिरोध को बढ़ाकर, RCD बफर सर्किट के लिए 1N4007 स्लो ट्यूब का उपयोग करके और VCC सप्लाई वोल्टेज के लिए 1N4007 स्लो ट्यूब का उपयोग करके हल किया जा सकता है।

100---200MHZ आम तौर पर आउटपुट रेक्टिफायर के रिवर्स रिकवरी करंट के कारण होता है। आप रेक्टिफायर पर चुंबकीय मोती लगा सकते हैं।

100 मेगाहर्ट्ज और 200 मेगाहर्ट्ज के बीच की अधिकांश समस्याएं PFCMOSFET और PFC डायोड के कारण होती हैं। अब MOSFET और PFC डायोड स्ट्रिंग बीड्स प्रभावी हैं। क्षैतिज दिशा मूल रूप से समस्या को हल कर सकती है, लेकिन ऊर्ध्वाधर दिशा बहुत असहाय है।

स्विचिंग पावर सप्लाई का विकिरण आम तौर पर केवल 100M से नीचे आवृत्ति बैंड को प्रभावित करता है। इसी अवशोषण लूप को MOS और डायोड में भी जोड़ा जा सकता है, लेकिन दक्षता कम हो जाएगी।

स्विचिंग पावर सप्लाई डिजाइन करते समय EMI को रोकने के उपाय
1. शोर सर्किट नोड्स के पीसीबी कॉपर फ़ॉइल क्षेत्र को न्यूनतम करें; जैसे स्विच ट्यूब के ड्रेन और कलेक्टर, प्राथमिक और द्वितीयक वाइंडिंग के नोड्स, आदि।

2. इनपुट और आउटपुट टर्मिनलों को शोर करने वाले घटकों से दूर रखें, जैसे ट्रांसफार्मर वायर पैक, ट्रांसफार्मर कोर, स्विच ट्यूब के हीट सिंक आदि।

3. शोर करने वाले घटकों (जैसे कि असुरक्षित ट्रांसफार्मर तार पैक, असुरक्षित ट्रांसफार्मर कोर, और स्विच ट्यूब, आदि) को आवरण के किनारे से दूर रखें, क्योंकि सामान्य संचालन के तहत आवरण के किनारे बाहरी ग्राउंड तार के करीब होने की संभावना है।

4. यदि ट्रांसफार्मर में विद्युत क्षेत्र परिरक्षण का उपयोग नहीं किया गया है, तो परिरक्षण और ताप सिंक को ट्रांसफार्मर से दूर रखें।

5. निम्नलिखित करंट लूपों के क्षेत्र को न्यूनतम करें: द्वितीयक (आउटपुट) रेक्टिफायर, प्राथमिक स्विचिंग पावर डिवाइस, गेट (बेस) ड्राइव सर्किट और सहायक रेक्टिफायर।

6. गेट (बेस) ड्राइव फीडबैक लूप को प्राथमिक स्विचिंग सर्किट या सहायक रेक्टिफायर सर्किट के साथ न मिलाएं।

7. डैम्पिंग रेसिस्टर मान को समायोजित और अनुकूलित करें ताकि स्विच के डेड टाइम के दौरान यह रिंगिंग ध्वनि उत्पन्न न करे।

8. ईएमआई फिल्टर प्रारंभक संतृप्ति को रोकें।

9. टर्निंग नोड और द्वितीयक सर्किट घटकों को प्राथमिक सर्किट की शील्ड या स्विच ट्यूब के हीट सिंक से दूर रखें।

10. प्राथमिक सर्किट स्विंग नोड्स और घटक निकायों को शील्ड या हीट सिंक से दूर रखें।

11. उच्च आवृत्ति इनपुट EMI फ़िल्टर को इनपुट केबल या कनेक्टर सिरे के करीब रखें।

12. उच्च आवृत्ति आउटपुट ईएमआई फिल्टर को आउटपुट वायर टर्मिनलों के करीब रखें।

13. ईएमआई फिल्टर और घटक बॉडी के विपरीत पीसीबी के तांबे के पन्नी के बीच एक निश्चित दूरी रखें।

14. सहायक कुण्डली के दिष्टकारी की रेखाओं पर कुछ प्रतिरोधक लगाएँ।

15. अवमंदन प्रतिरोधक को चुंबकीय छड़ कुंडली के समानांतर जोड़ें।

16. आउटपुट आरएफ फिल्टर में डंपिंग प्रतिरोधों को समानांतर में कनेक्ट करें।

17. पीसीबी को डिजाइन करते समय, ट्रांसफार्मर के प्राथमिक और सहायक वाइंडिंग के स्थिर छोर पर 1nF/500V सिरेमिक कैपेसिटर या प्रतिरोधों की एक श्रृंखला लगाने की अनुमति है।

18. EMI फिल्टर को पावर ट्रांसफार्मर से दूर रखें; विशेष रूप से उन्हें रैप के सिरों पर रखने से बचें।

19. यदि पीसीबी क्षेत्र पर्याप्त है, तो शील्ड वाइंडिंग के लिए पिन और आरसी डैम्पर के लिए स्थिति पीसीबी पर छोड़ी जा सकती है। आरसी डैम्पर को शील्ड वाइंडिंग के दोनों सिरों पर जोड़ा जा सकता है।

20. यदि स्थान अनुमति दे, तो स्विचिंग पावर FET के ड्रेन और गेट के बीच एक छोटा रेडियल लीड कैपेसिटर (मिलर कैपेसिटर, 10 pF/1 kV कैपेसिटेंस) लगाएं।

21. यदि स्थान अनुमति दे तो डीसी आउटपुट पर एक छोटा आरसी डैम्पर रखें।

22. एसी सॉकेट और प्राथमिक स्विच ट्यूब के हीट सिंक को एक दूसरे के पास न रखें।