ट्रांसमिशन इलेक्ट्रॉन माइक्रोस्कोपी के रिज़ॉल्यूशन को प्रभावित करने वाले कारक क्या हैं?
ए. आपतित इलेक्ट्रॉन बीम स्पॉट व्यास: यह स्कैनिंग इलेक्ट्रॉन माइक्रोस्कोप की संकल्प शक्ति की सीमा है। आम तौर पर, हॉट कैथोड इलेक्ट्रॉन गन के न्यूनतम बीम स्पॉट व्यास को 6nm तक कम किया जा सकता है, और क्षेत्र उत्सर्जन इलेक्ट्रॉन गन बीम स्पॉट व्यास को 3nm से छोटा कर सकता है।
बी. नमूने में आपतित इलेक्ट्रॉन किरण का विस्तार प्रभाव: प्रसार की डिग्री आपतित किरण इलेक्ट्रॉनों की ऊर्जा और नमूने की परमाणु संख्या पर निर्भर करती है। आपतित किरण की ऊर्जा जितनी अधिक होगी, नमूने की परमाणु संख्या उतनी ही कम होगी, इलेक्ट्रॉन किरण का आयतन उतना ही बड़ा होगा, और वह क्षेत्र जहां सिग्नल उत्पन्न होता है, इलेक्ट्रॉन किरण के प्रसार के साथ बढ़ता है, जिससे रिज़ॉल्यूशन कम हो जाता है।
सी. इमेजिंग विधि और मॉड्यूलेशन सिग्नल का उपयोग किया जाता है: जब द्वितीयक इलेक्ट्रॉन को मॉड्यूलेशन सिग्नल के रूप में उपयोग किया जाता है, तो इसकी कम ऊर्जा (50 ईवी से कम) और लघु माध्य मुक्त पथ (लगभग 10-100 एनएम) के कारण, केवल सतह परत 50-100 एनएम की गहराई सीमा में द्वितीयक इलेक्ट्रॉन केवल नमूना सतह से बच सकते हैं, और बिखरने की संख्या बहुत सीमित है, और मूल रूप से पार्श्व में विस्तार नहीं होता है। इसलिए, द्वितीयक इलेक्ट्रॉन छवि का रिज़ॉल्यूशन बीम स्पॉट के व्यास के लगभग बराबर है। जब बैकस्कैटर किए गए इलेक्ट्रॉनों को मॉड्यूलेशन सिग्नल के रूप में उपयोग किया जाता है, तो बैकस्कैटर किए गए इलेक्ट्रॉनों की ऊर्जा अपेक्षाकृत अधिक होती है और भेदने की क्षमता मजबूत होती है, इसलिए वे नमूने में गहरे क्षेत्र (प्रभावी गहराई का लगभग 30 प्रतिशत) से बच सकते हैं। इस गहराई सीमा में, आपतित इलेक्ट्रॉनों का पार्श्व विस्तार काफी व्यापक होता है, इसलिए बैकस्कैटर वाली इलेक्ट्रॉन छवि का रिज़ॉल्यूशन द्वितीयक इलेक्ट्रॉन छवि की तुलना में कम होता है, आमतौर पर लगभग 500-2000nm। यदि अन्य ऑपरेशन मोड जैसे कि इलेक्ट्रॉनों का अवशोषण, एक्स-रे, कैथोडोफ्लोरेसेंस, बीम-प्रेरित संचालन या क्षमता का उपयोग मॉड्यूलेशन सिग्नल के रूप में किया जाता है, क्योंकि सिग्नल पूरे इलेक्ट्रॉन बीम बिखरने वाले क्षेत्र से आते हैं, तो प्राप्त स्कैनिंग छवियों का रिज़ॉल्यूशन अपेक्षाकृत कम होता है , आम तौर पर l 000 nm पर या l{8}}nm से ऊपर।
