इन्फ्रारेड फोटोइलेक्ट्रिक रेंज फाइंडर की संरचना और संरचना
इन्फ्रारेड रेंजफाइंडर मुख्य रूप से एक मॉड्यूलेटेड प्रकाश उत्सर्जक इकाई, एक प्राप्त करने वाली इकाई, एक चरण मापने वाली इकाई, एक गिनती और प्रदर्शित करने वाली इकाई, एक तर्क नियंत्रण इकाई और एक पावर कनवर्टर से बना होता है। प्रकाश स्रोत आमतौर पर गैलियम आर्सेनाइड (GaAs) अर्धचालक प्रकाश उत्सर्जक डायोड होता है। जब GaAs डायोड के पीएन जंक्शन से एक महत्वपूर्ण धारा गुजरती है, तो पीएन जंक्शन 0.72 μm और 0.94 μm की तरंग दैर्ध्य के साथ निकट-अवरक्त प्रकाश उत्सर्जित करेगा, जो कि के कारण है डोप्ड GaAs सेमीकंडक्टर में इलेक्ट्रॉन-छेद पुनर्संयोजन। , अतिरिक्त ऊर्जा फोटॉन के रूप में निकलती है। इसके अलावा, उत्सर्जित प्रकाश की तीव्रता इंजेक्शन करंट के साथ अलग-अलग होगी। इसलिए, यदि इसे रेंजफाइंडर के प्रकाश स्रोत के रूप में उपयोग किया जाता है, तो उत्सर्जित प्रकाश की तीव्रता का आयाम मॉड्यूलेशन सीधे फ़ीड करंट के परिमाण को बदलकर किया जा सकता है, अर्थात, इस अर्धचालक प्रकाश उत्सर्जक उपकरण में "के दोहरे कार्य हैं" विकिरण" और "मॉड्यूलेशन"।
मॉड्यूलेटेड प्रकाश प्राप्त करने के लिए उपयोग किया जाने वाला इन्फ्रारेड फोटोडिटेक्शन रूपांतरण उपकरण आमतौर पर एक सिलिकॉन फोटोडायोड या हिमस्खलन फोटोडायोड होता है, और इन उपकरणों में "फोटोवोल्टेज प्रभाव" होता है। जब इसके पीएन जंक्शन पर बाहरी प्रकाश विकिरणित होता है, तो फोटोइलेक्ट्रिक ऊर्जा रूपांतरण के प्रभाव के कारण, पीएन के दो ध्रुवों पर एक संभावित अंतर उत्पन्न हो सकता है, और इसका परिमाण आपतित प्रकाश की तीव्रता के साथ बदल जाएगा, इस प्रकार "की भूमिका निभाएगा" डिमोड्यूलेशन"।
