स्विचिंग पावर सप्लाई यूनिट के अत्यधिक विकिरण की समस्या का समाधान कैसे करें

स्विचिंग पावर सप्लाई यूनिट के अत्यधिक विकिरण की समस्या का समाधान कैसे करें

स्विचिंग बिजली की आपूर्ति वोल्टेज, वर्तमान परिवर्तन दर बहुत अधिक है, जिसके परिणामस्वरूप हस्तक्षेप की अधिक तीव्रता होती है; हस्तक्षेप स्रोत मुख्य रूप से बिजली स्विचिंग अवधि में केंद्रित होते हैं और गर्मी सिंक और उच्च स्तर ट्रांसफार्मर से जुड़े होते हैं, डिजिटल सर्किट हस्तक्षेप स्रोत के स्थान के सापेक्ष स्पष्ट होता है; स्विचिंग आवृत्ति उच्च नहीं होती है (दसियों kHz और कई मेगाहर्ट्ज़ से), हस्तक्षेप का मुख्य रूप चालन हस्तक्षेप और निकट-क्षेत्र हस्तक्षेप है।

समाधान पर विशिष्ट व्यक्तिगत आवृत्ति बिंदु निम्नानुसार है:

1 मेगाहर्ट्ज के भीतर:
विभेदक मोड हस्तक्षेप मुख्य है 1. एक्स समाई बढ़ाएँ; 2. विभेदक मोड अधिष्ठापन जोड़ें; 3. छोटे बिजली की आपूर्ति पीआई-प्रकार फिल्टर प्रसंस्करण का उपयोग किया जा सकता है (यह अनुशंसा की जाती है कि ट्रांसफार्मर के पास इलेक्ट्रोलाइटिक कैपेसिटर को बड़ा चुना जा सकता है)।

1एम-5मेगाहर्ट्ज:
विभेदक मोड कॉमन-मोड मिश्रण, इनपुट पक्ष और एक्स कैपेसिटर की एक श्रृंखला का उपयोग करके विभेदक स्पर्श हस्तक्षेप को फ़िल्टर किया जाता है और विश्लेषण किया जाता है कि किस प्रकार का हस्तक्षेप मानक से अधिक है और इसे हल करता है;

5 मेगाहर्ट्ज:
आम स्पर्श हस्तक्षेप के ऊपर मुख्य रूप से, आम स्पर्श को दबाने की विधि का उपयोग कर रहा है। शैल के लिए जमीन पर, 2 हलकों के आसपास एक चुंबकीय अंगूठी के साथ जमीन लाइन में 10MHZ से अधिक हस्तक्षेप एक बड़ा क्षीणन (diudiu2006) है होगा; 25 - 30MHZ के लिए लेकिन जमीन के लिए वाई समाई बढ़ाने के लिए इस्तेमाल किया जा सकता है, रोटी तांबे के बाहर ट्रांसफार्मर में, PCBLAYOUT, एक दो तार के कनेक्शन के सामने आउटपुट लाइन और एक छोटे चुंबकीय अंगूठी की घुमावदार, आउटपुट रेक्टिफायर ट्यूब सिरों और आरसी फिल्टर के आसपास कम से कम 10 मोड़।

1एम-5एमएचजेड:
विभेदक मोड आम-मोड मिश्रण, एक्स कैपेसिटेंस की एक श्रृंखला के साथ समानांतर में इनपुट पक्ष का उपयोग करके अंतर हस्तक्षेप को फ़िल्टर करें और विश्लेषण करें कि कौन सा हस्तक्षेप मानक से अधिक है और समस्या को हल करने के लिए, 1. अंतर मोड हस्तक्षेप के लिए मानक एक्स कैपेसिटेंस में समायोजित किया जा सकता है, एक अंतर मोड प्रारंभ करनेवाला, अंतर मोड अधिष्ठापन जोड़ें; 2. आम-मोड हस्तक्षेप के लिए मानक से अधिक आम-मोड अधिष्ठापन में जोड़ा जा सकता है, अवरोध करने के लिए उचित मात्रा में अधिष्ठापन का विकल्प; 3. आप तेज डायोड की एक जोड़ी से निपटने के लिए रेक्टिफायर डायोड की विशेषताओं को बदल सकते हैं, जैसे कि FR107 साधारण रेक्टिफायर डायोड 1N4007 की एक जोड़ी।

5 मेगाहर्ट्ज से ऊपर:
सामान्य स्पर्श हस्तक्षेप मुख्य है, और सामान्य स्पर्श को दबाने की विधि का उपयोग किया जाता है।

शैल ग्राउंडेड के लिए, 2-3 के आसपास एक चुंबकीय रिंग स्ट्रिंग के साथ ग्राउंड लाइन में 10MHZ से अधिक हस्तक्षेप एक बड़ा क्षीणन प्रभाव होगा; ट्रांसफार्मर के कोर के तुरंत बाद तांबे की पन्नी को चिपकाने के लिए चुन सकते हैं, तांबे की पन्नी बंद लूप। बैक-एंड आउटपुट रेक्टिफायर अवशोषण सर्किट और प्राथमिक बड़े सर्किट शंट कैपेसिटेंस के आकार से निपटें।

20M-30MHz के लिए:
1. उत्पादों के एक वर्ग के लिए Y2 समाई को जमीन पर समायोजित करने या Y2 संधारित्र स्थिति को बदलने के लिए इस्तेमाल किया जा सकता है;

2. प्राथमिक और द्वितीयक पक्षों के बीच Y1 समाई स्थिति और पैरामीटर मान समायोजित करें;

3. ट्रांसफार्मर के बाहर तांबे की पन्नी लगाएं; ट्रांसफार्मर की सबसे भीतरी परत पर परिरक्षण परत लगाएं; ट्रांसफार्मर की वाइंडिंग की व्यवस्था को समायोजित करें।

4. पीसीबी लेआउट बदलें;

5. एक छोटे सामान्य मोड प्रारंभ करनेवाला के दो-तार समानांतर घुमाव के कनेक्शन के सामने आउटपुट लाइन;

6. आउटपुट रेक्टिफायर को आरसी फिल्टर के दोनों सिरों के समानांतर रखें और उचित मापदंडों को समायोजित करें;

7. ट्रांसफार्मर और MOSFET के बीच बीडकोर जोड़ें;

8. ट्रांसफार्मर के इनपुट वोल्टेज पिन में एक छोटा संधारित्र जोड़ें।

9. MOS ड्राइव प्रतिरोधक को बढ़ाने के लिए इस्तेमाल किया जा सकता है।

30एम-50मेगाहर्ट्ज:
1. आम तौर पर एमओएस ट्यूब के उच्च गति पर चालू/बंद होने के कारण, एमओएस ड्राइव रोकनेवाला, 1N4007 धीमी ट्यूब का उपयोग कर आरसीडी बफर सर्किट, 1N4007 धीमी ट्यूब के साथ वीसीसी आपूर्ति वोल्टेज को बढ़ाकर हल किया जा सकता है।

2. 1N4007 धीमी ट्यूब का उपयोग करके आरसीडी बफर सर्किट;

3. 1N4007 धीमी ट्यूब के साथ वीसीसी आपूर्ति वोल्टेज को हल करने के लिए;

4. या एक छोटे सामान्य मोड प्रारंभ करनेवाला के दो-तार समानांतर घुमाव के साथ श्रृंखला में आउटपुट लाइन फ्रंट अंत;

5. MOSFET के DS पिन के समानांतर एक छोटा अवशोषण सर्किट कनेक्ट करें;

6. ट्रांसफार्मर और MOSFET के बीच बीडकोर जोड़ें;

7. ट्रांसफार्मर के इनपुट वोल्टेज पिन में एक छोटा कैपेसिटर जोड़ें;

8. पीसीबी लेआउट जब बड़े इलेक्ट्रोलाइटिक कैपेसिटर, ट्रांसफार्मर, एमओएस सर्किट लूप को यथासंभव छोटा बनाते हैं;

9. ट्रांसफार्मर, आउटपुट डायोड, आउटपुट फ्लैट वेव इलेक्ट्रोलाइटिक कैपेसिटर सर्किट रिंग को यथासंभव छोटा बनाते हैं।