Design requirements of single-chip switching power supply circuit
(1) द फीडबैक सर्किट ऑफ टॉप स्विच-II जरूरतों से बी सुसज्जित साथ ए फोटोइलेक्ट्रिक कपलर से अलग यह से आउटपुट सर्किट. कब डिजाइनिंग ए परिशुद्धता स्विचिंग शक्ति आपूर्ति%2सी ए टीएल431 समायोज्य परिशुद्धता सहसंबंध नियामक चाहिए होना जोड़ा से रूप एक बाहरी त्रुटि एम्पलीफायर से प्रतिस्थापन द वोल्टेज नियामक में द नमूनाकरण सर्किट. द वोल्टेज विनियमन दर एसवी और वर्तमान विनियमन दर एसएल की परिशुद्धता स्विचिंग शक्ति आपूर्ति कर सकते हैं पहुँच के बारे में 0.2%, जो है है करीब से सूचकांक का रैखिक एकीकृत विनियमित शक्ति आपूर्ति।
(2) Optocouplers with lineearly variying current transfer ratio (CTR) should be selected, such as pC817A, NEC2501, 6N137, etc. it is not recommended to adopt 4N25, 4N35 and other 4N×× साधारण optocouplers. The latter has poor linearity, which will cause distortion when transmitting analog signals and affect the voltage stabilization performance of switching power supply.
(3) The primary of the high-frequency transformer must be provided with a protection circuit to absorb the peak voltage caused by leakage inductance and ensure that the MOSFET is not damaged. This protection circuit should be connected in parallel to the primary, and there are four specific design schemes: ① a clamping circuit consisting of a transient voltage suppression diode (TVS) and an ultrafast recovery diode (SRD); (2) Clamping circuit composed of TVS and silicon rectifier (VD); (3) absorption circuit composed of resistance-capacitance element and SRD; (4) absorption circuit composed of resistance-capacitance component and VD. Among the above schemes, ① is the best, which can give full play to the advantages of TVS, such as extremely fast response speed and high-energy transient pulse. Scheme 2 is the second.
(4) When using the chip, a suitable radiator should be added. For TO-220 package, it can be directly mounted on a small board. For DIp-8 and SMD-8 packages, four sources can be welded on the copper-clad printed board with an area of 2.3 instead of the heat sink.
(5) में क्रम से द द हस्तक्षेप पेश किया से द शक्ति ग्रिड और रोकथाम द हस्तक्षेप उत्पन्न द्वारा द स्विचिंग शक्ति आपूर्ति से होने प्रेषित से प्रेषित% से बाहर, it is आवश्यक से जोड़ने एक EMI filter (भी ज्ञात जैसा शक्ति आपूर्ति शोर फ़िल्टर (pNF)) पर आवक टर्मिनल का द शक्ति आपूर्ति.
(6) कब उपयोग यह प्रकार का चिप, the स्रोत सीसा चाहिए होना जैसा लघु जैसा संभव. में आदेश से बनाना आउटपुट वोल्टेज स्थिर कम नहीं-लोड या प्रकाश भार, a प्रतिरोधक का कई सौ ohms चाहिए होना जुड़ा से आउटपुट टर्मिनल का द विनियमित शक्ति आपूर्ति जैसे the न्यूनतम भार, या a वोल्टेज स्थिरीकरण ट्यूब हो सकता है कनेक्टेड इन समानांतर।
