मापन में पीपीएम का अनुप्रयोग
1mm+1ppm, 1mm+1ppm×D (किमी) का संक्षिप्त रूप है, जो कुल स्टेशन या रेंज फ़ाइंडर की नाममात्र रेंजिंग सटीकता को दर्शाता है। उनमें से:
1 मिमी उपकरण की निश्चित त्रुटि को दर्शाता है, जो मुख्य रूप से उपकरण की माप त्रुटि, केंद्रीकरण त्रुटि और चरण माप त्रुटि प्लस स्थिरांक के कारण होता है, और निश्चित त्रुटि का मापी गई दूरी से कोई लेना-देना नहीं है। यानी, चाहे वास्तविक दूरी कितनी भी दूर क्यों न मापी जाए, कुल स्टेशन की एक निश्चित त्रुटि होगी जो इस मान से अधिक नहीं होगी।
1ppm×D किमी आनुपातिक त्रुटि को दर्शाता है, जहाँ 1 आनुपातिक त्रुटि गुणांक है, जो मुख्य रूप से उपकरण आवृत्ति त्रुटि और वायुमंडलीय अपवर्तक सूचकांक त्रुटि के कारण होता है। Ppm का अर्थ है प्रति मिलियन भाग (कुछ), और D कुल स्टेशन या रेंज फ़ाइंडर द्वारा किलोमीटर में मापी गई वास्तविक दूरी है। वास्तविक माप दूरी के परिवर्तन के साथ, उपकरण की आनुपातिक त्रुटि भी आनुपातिक रूप से बदलती है। उदाहरण के लिए, जब दूरी 1 किमी है, तो आनुपातिक त्रुटि 1 मिमी है।
1 मिमी+1पीपीएम की रेंजिंग सटीकता वाले कुल स्टेशन या रेंजफाइंडर के लिए, जब मापी गई दूरी 1 किमी है, तो उपकरण की रेंजिंग सटीकता 1 मिमी+1पीपीएम × 1 (किमी)=2मिमी है, अर्थात, जब कुल स्टेशन 1 किमी मापता है, तो अधिकतम रेंजिंग त्रुटि 2 मिमी से अधिक नहीं होती है।
रेंजिंग के लिए तीन सेकण्ड का समय है।
इन्फ्रारेड रेंज फाइंडर की संरचना संरचना
इन्फ्रारेड रेंजफाइंडर मुख्य रूप से मॉड्युलेटेड लाइट एमिटिंग यूनिट, रिसीविंग यूनिट, फेज मेजरिंग यूनिट, काउंटिंग डिस्प्ले यूनिट, लॉजिक कंट्रोल यूनिट और पावर कन्वर्टर से बना होता है। इसका प्रकाश स्रोत आमतौर पर GaAs सेमीकंडक्टर लाइट एमिटिंग डायोड होता है। जब GaAs डायोड के PN जंक्शन से काफी करंट गुजरता है, तो PN जंक्शन में 0.72μm और 0.94μm की तरंग दैर्ध्य वाली निकट-अवरक्त रोशनी उत्सर्जित होगी, जो डोप किए गए GaAs सेमीकंडक्टर में इलेक्ट्रॉन और होल के पुनर्संयोजन के दौरान फोटॉन के रूप में जारी अतिरिक्त ऊर्जा के कारण होता है। और उत्सर्जित प्रकाश की तीव्रता इंजेक्शन करंट के परिवर्तन के साथ बदल जाएगी। इसलिए, यदि इसे रेंज फाइंडर के प्रकाश स्रोत के रूप में उपयोग किया जाता है, तो उत्सर्जित प्रकाश की तीव्रता को फीड करंट के आकार को बदलकर सीधे मॉड्यूलेट किया जा सकता है, यानी, इस सेमीकंडक्टर लाइट एमिटिंग डिवाइस में "रेडिएशन" और "मॉड्यूलेशन" के दोहरे कार्य हैं।
मॉड्यूलेटेड लाइट प्राप्त करने के लिए उपयोग किए जाने वाले इन्फ्रारेड फोटोइलेक्ट्रिक डिटेक्शन और रूपांतरण उपकरण आमतौर पर सिलिकॉन फोटोडायोड या एवलांच फोटोडायोड होते हैं, जिनमें "फोटोवोल्टिक प्रभाव" होता है। जब बाहरी प्रकाश इसके पीएन जंक्शन पर चमकता है, तो फोटोइलेक्ट्रिक ऊर्जा रूपांतरण के प्रभाव के कारण, पीएन ध्रुवों पर एक संभावित अंतर उत्पन्न हो सकता है, और इसका परिमाण अनुसरण करेगा।
उत्सर्जित प्रकाश की तीव्रता में परिवर्तन होता है, इस प्रकार यह "डिमॉड्यूलेशन" की भूमिका निभाता है।
